Un nuevo modelo sobre la captura de electrones en donadores poco profundos en Ge y Si a bajas temperaturas /
Збережено в:
| Автор: | Fonthal, Gerardo |
|---|---|
| Інші автори: | Pirela, María E (autora.), Martínez, Jorge (autor.) |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Іспанська |
| Опубліковано: |
Maracaibo, Venezuela :
La facultad,
1997.
|
| Предмети: | |
| Онлайн доступ: | https://elibro.unach.elogim.com/es/lc/unach/titulos/16357 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Схожі ресурси
Схожі ресурси
-
Propiedades eléctricas y ópticas del compuesto ternario Cu2GeTe3 /
за авторством: Fernández, Braulio
Опубліковано: (2006) -
Susceptibilidad magnética del compuesto Cu2Cd1-xMnxGeSe4 /
Опубліковано: (2003) -
Polaron magnético ligado en Cu2Cdo,25Feo,75GeSe4 /
Опубліковано: (2006) -
Relajaciones dieléctricas de alta temperatura en poly(e-caprolactona) : un análisis comparativo de las corrientes de polarización y de depolarización térmicamente estimuladas /
Опубліковано: (2006) -
Resonancia paramagnética electrónica en películas delgadas de Cr/Nd/Fe/Si /
за авторством: Díaz, Cruz
Опубліковано: (2003)