Solid-phase crystallization of amorphous silicon films
La cristalizacin̤ en fase sl̤ida de un material amorfo necesita la energa̕ de activacin̤. La energa̕ se suministra normalmente en forma de energa̕ třmica aumentando la temperatura del material. Cuando ocurre la nucleacin̤, la energa̕ de deformacin̤ se desarrolla en la matriz amorfa as ̕como en los...
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| Ձևաչափ: | Գիրք |
| Լեզու: | անգլերեն |
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| Առցանց հասանելիություն: | Solid-phase crystallization of amorphous silicon films |
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| Ամփոփում: | La cristalizacin̤ en fase sl̤ida de un material amorfo necesita la energa̕ de activacin̤. La energa̕ se suministra normalmente en forma de energa̕ třmica aumentando la temperatura del material. Cuando ocurre la nucleacin̤, la energa̕ de deformacin̤ se desarrolla en la matriz amorfa as ̕como en los nc͠leos cristalinos, o cristales. La energa̕ de deformacin̤ es la ms̀ alta en la regin̤ de interfaz estable / metaestable en las direcciones de md̤ulo de Young ms̀ altas de la fase estable. Por lo tanto, la velocidad de crecimiento de las cristalitas es la ms̀ alta en la fase metaestable a lo largo de las direcciones del md̤ulo mx̀imo de Young de las cristalitas porque la barrera de activacin̤ puede ser superada por la energa̕ de deformacin̤ cuando la energa̕ třmica no es lo suficientemente alta para superar la barrera. Es probable que la energa̕ de deformacin̤ d ̌lugar a tasas de crecimiento no homogňeas de los cristalitos debido a su anisotropa̕ els̀tica, si la hay. Esta teora̕ de cristalizacin̤ dirigida puede explicar los siguientes resultados. |
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| ISBN: | 9789535121251 |