Hall effect and transient surface photovoltage (SPV) study of Cu3BiS3 thin films
Se presentan las propiedades elčtricas del compuesto Cu3BiS3 depositado por co-evaporacin̤. Este es un nuevo compuesto que puede tener propiedades adecuadas para ser utilizado como capa absorbente en celdas solares. Las muestras fueron caracterizadas a travš de medidas de efecto Hall y fotovoltaje...
I tiakina i:
| Ētahi atu kaituhi: | , , , , |
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| Hōputu: | Pukapuka |
| Reo: | Ingarihi |
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| Urunga tuihono: | Hall effect and transient surface photovoltage (SPV) study of Cu3BiS3 thin films |
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Tāpirihia he Tūtohu
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| Whakarāpopototanga: | Se presentan las propiedades elčtricas del compuesto Cu3BiS3 depositado por co-evaporacin̤. Este es un nuevo compuesto que puede tener propiedades adecuadas para ser utilizado como capa absorbente en celdas solares. Las muestras fueron caracterizadas a travš de medidas de efecto Hall y fotovoltaje superficial transiente (SPV). A travš de medidas de efecto Hall se encontr ̤que la concentracin̤ de portadores de carga n es del orden de 1016 cm-3 independiente de la relacin̤ de masas de Cu/Bi. Tambiň se encontr ̤que la movilidad de este compuesto (μ del orden de 4 cm2 V -1s-1) vara̕ de acuerdo con los mecanismos de transporte que la gobiernan en dependencia con la temperatura. A partir de las medidas de SPV se encontr ̤alta densidad de defectos superficiales, defectos que son pasivados al superponer una capa buffer sobre el compuesto Cu3BiS3. |
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| ISBN: | 0122-7483 (versin̤ impresa) ; 2027-1352 (versin̤ online) |