Hall effect and transient surface photovoltage (SPV) study of Cu3BiS3 thin films
Se presentan las propiedades elčtricas del compuesto Cu3BiS3 depositado por co-evaporacin̤. Este es un nuevo compuesto que puede tener propiedades adecuadas para ser utilizado como capa absorbente en celdas solares. Las muestras fueron caracterizadas a travš de medidas de efecto Hall y fotovoltaje...
Đã lưu trong:
| Tác giả khác: | , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Sách |
| Ngôn ngữ: | Tiếng Anh |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | Hall effect and transient surface photovoltage (SPV) study of Cu3BiS3 thin films |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
| Tóm tắt: | Se presentan las propiedades elčtricas del compuesto Cu3BiS3 depositado por co-evaporacin̤. Este es un nuevo compuesto que puede tener propiedades adecuadas para ser utilizado como capa absorbente en celdas solares. Las muestras fueron caracterizadas a travš de medidas de efecto Hall y fotovoltaje superficial transiente (SPV). A travš de medidas de efecto Hall se encontr ̤que la concentracin̤ de portadores de carga n es del orden de 1016 cm-3 independiente de la relacin̤ de masas de Cu/Bi. Tambiň se encontr ̤que la movilidad de este compuesto (μ del orden de 4 cm2 V -1s-1) vara̕ de acuerdo con los mecanismos de transporte que la gobiernan en dependencia con la temperatura. A partir de las medidas de SPV se encontr ̤alta densidad de defectos superficiales, defectos que son pasivados al superponer una capa buffer sobre el compuesto Cu3BiS3. |
|---|---|
| số ISBN: | 0122-7483 (versin̤ impresa) ; 2027-1352 (versin̤ online) |