Hall effect and transient surface photovoltage (SPV) study of Cu3BiS3 thin films

Se presentan las propiedades elčtricas del compuesto Cu3BiS3 depositado por co-evaporacin̤. Este es un nuevo compuesto que puede tener propiedades adecuadas para ser utilizado como capa absorbente en celdas solares. Las muestras fueron caracterizadas a travš de medidas de efecto Hall y fotovoltaje...

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Sábháilte in:
Sonraí bibleagrafaíochta
Rannpháirtithe: Mesa F., Dussan A., Paez-Sierra B. A., Rodriguez-Hernandez H., Facultad de Ciencias, Pontificia Universidad Javeriana
Formáid: LEABHAR
Teanga:Béarla
Ábhair:
Rochtain ar líne:Hall effect and transient surface photovoltage (SPV) study of Cu3BiS3 thin films
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MARC

LEADER 00000nam a22000004a 4500
001 vpro11204
005 20201223000000.0
008 170214s2017 ck # g## #001 0#eng#d
020 |a 0122-7483 (versin̤ impresa) ; 2027-1352 (versin̤ online) 
022
040 |a CO-BoINGC 
041 0 |a eng 
245 1 0 |a Hall effect and transient surface photovoltage (SPV) study of Cu3BiS3 thin films 
246 |a Efecto Hall y estudio de fotovoltaje superficial transiente (SPV) en pelc̕ulas delgadas de Cu3BiS3 
264 |a Bogot ̀(Colombia) :  |b Revista VirtualPRO,  |c 2017 
520 3 |a Se presentan las propiedades elčtricas del compuesto Cu3BiS3 depositado por co-evaporacin̤. Este es un nuevo compuesto que puede tener propiedades adecuadas para ser utilizado como capa absorbente en celdas solares. Las muestras fueron caracterizadas a travš de medidas de efecto Hall y fotovoltaje superficial transiente (SPV). A travš de medidas de efecto Hall se encontr ̤que la concentracin̤ de portadores de carga n es del orden de 1016 cm-3 independiente de la relacin̤ de masas de Cu/Bi. Tambiň se encontr ̤que la movilidad de este compuesto (μ del orden de 4 cm2 V -1s-1) vara̕ de acuerdo con los mecanismos de transporte que la gobiernan en dependencia con la temperatura. A partir de las medidas de SPV se encontr ̤alta densidad de defectos superficiales, defectos que son pasivados al superponer una capa buffer sobre el compuesto Cu3BiS3. 
650 \ \ |a Cinťica qum̕ica 
650 \ \ |a Cinťica qum̕ica - Procesamiento de datos 
650 \ \ |a Combustin̤ 
650 \ \ |a Metano 
650 \ \ |a Reacciones qum̕icas 
650 \ \ |a Reactividad (Qum̕ica) 
650 \ \ |a Reactores qum̕icos 
650 \ \ |a Reactores qum̕icos - Diseǫ y construccin̤ 
650 \ \ |a Chemical kinetics 
650 \ \ |a Chemical kinetics - Data processing 
650 \ \ |a Combustion 
650 \ \ |a Methane 
650 \ \ |a Chemical reactions 
650 \ \ |a Reactivity chemistry 
650 \ \ |a Chemical reactors 
650 \ \ |a Chemical reactors - Design and construction 
650 \ \ |a Transporte elčtrico 
650 \ \ |a Cu3BiS3 
650 \ \ |a Fotovoltaje superficial transiente 
650 \ \ |a Defectos 
650 \ \ |a Electric transport 
650 \ \ |a Cu3BiS3 
650 \ \ |a Transient surface photovoltage 
650 \ \ |a Defects  
700 \ \ |a Mesa F. 
700 \ \ |a Dussan A. 
700 \ \ |a Paez-Sierra B. A. 
700 \ \ |a Rodriguez-Hernandez H.  
700 \ \ |a Facultad de Ciencias, Pontificia Universidad Javeriana 
856 |z Hall effect and transient surface photovoltage (SPV) study of Cu3BiS3 thin films  |u https://virtualpro.unach.elogim.com/biblioteca/efecto-hall-y-estudio-de-fotovoltaje-superficial-transiente-spv-en-peliculas-delgadas-de-cu3bis3