Hall effect and transient surface photovoltage (SPV) study of Cu3BiS3 thin films
Se presentan las propiedades elčtricas del compuesto Cu3BiS3 depositado por co-evaporacin̤. Este es un nuevo compuesto que puede tener propiedades adecuadas para ser utilizado como capa absorbente en celdas solares. Las muestras fueron caracterizadas a travš de medidas de efecto Hall y fotovoltaje...
Sábháilte in:
| Rannpháirtithe: | , , , , |
|---|---|
| Formáid: | LEABHAR |
| Teanga: | Béarla |
| Ábhair: | |
| Rochtain ar líne: | Hall effect and transient surface photovoltage (SPV) study of Cu3BiS3 thin films |
| Clibeanna: |
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MARC
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| 001 | vpro11204 | ||
| 005 | 20201223000000.0 | ||
| 008 | 170214s2017 ck # g## #001 0#eng#d | ||
| 020 | |a 0122-7483 (versin̤ impresa) ; 2027-1352 (versin̤ online) | ||
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| 040 | |a CO-BoINGC | ||
| 041 | 0 | |a eng | |
| 245 | 1 | 0 | |a Hall effect and transient surface photovoltage (SPV) study of Cu3BiS3 thin films |
| 246 | |a Efecto Hall y estudio de fotovoltaje superficial transiente (SPV) en pelc̕ulas delgadas de Cu3BiS3 | ||
| 264 | |a Bogot ̀(Colombia) : |b Revista VirtualPRO, |c 2017 | ||
| 520 | 3 | |a Se presentan las propiedades elčtricas del compuesto Cu3BiS3 depositado por co-evaporacin̤. Este es un nuevo compuesto que puede tener propiedades adecuadas para ser utilizado como capa absorbente en celdas solares. Las muestras fueron caracterizadas a travš de medidas de efecto Hall y fotovoltaje superficial transiente (SPV). A travš de medidas de efecto Hall se encontr ̤que la concentracin̤ de portadores de carga n es del orden de 1016 cm-3 independiente de la relacin̤ de masas de Cu/Bi. Tambiň se encontr ̤que la movilidad de este compuesto (μ del orden de 4 cm2 V -1s-1) vara̕ de acuerdo con los mecanismos de transporte que la gobiernan en dependencia con la temperatura. A partir de las medidas de SPV se encontr ̤alta densidad de defectos superficiales, defectos que son pasivados al superponer una capa buffer sobre el compuesto Cu3BiS3. | |
| 650 | \ | \ | |a Cinťica qum̕ica |
| 650 | \ | \ | |a Cinťica qum̕ica - Procesamiento de datos |
| 650 | \ | \ | |a Combustin̤ |
| 650 | \ | \ | |a Metano |
| 650 | \ | \ | |a Reacciones qum̕icas |
| 650 | \ | \ | |a Reactividad (Qum̕ica) |
| 650 | \ | \ | |a Reactores qum̕icos |
| 650 | \ | \ | |a Reactores qum̕icos - Diseǫ y construccin̤ |
| 650 | \ | \ | |a Chemical kinetics |
| 650 | \ | \ | |a Chemical kinetics - Data processing |
| 650 | \ | \ | |a Combustion |
| 650 | \ | \ | |a Methane |
| 650 | \ | \ | |a Chemical reactions |
| 650 | \ | \ | |a Reactivity chemistry |
| 650 | \ | \ | |a Chemical reactors |
| 650 | \ | \ | |a Chemical reactors - Design and construction |
| 650 | \ | \ | |a Transporte elčtrico |
| 650 | \ | \ | |a Cu3BiS3 |
| 650 | \ | \ | |a Fotovoltaje superficial transiente |
| 650 | \ | \ | |a Defectos |
| 650 | \ | \ | |a Electric transport |
| 650 | \ | \ | |a Cu3BiS3 |
| 650 | \ | \ | |a Transient surface photovoltage |
| 650 | \ | \ | |a Defects |
| 700 | \ | \ | |a Mesa F. |
| 700 | \ | \ | |a Dussan A. |
| 700 | \ | \ | |a Paez-Sierra B. A. |
| 700 | \ | \ | |a Rodriguez-Hernandez H. |
| 700 | \ | \ | |a Facultad de Ciencias, Pontificia Universidad Javeriana |
| 856 | |z Hall effect and transient surface photovoltage (SPV) study of Cu3BiS3 thin films |u https://virtualpro.unach.elogim.com/biblioteca/efecto-hall-y-estudio-de-fotovoltaje-superficial-transiente-spv-en-peliculas-delgadas-de-cu3bis3 | ||