An energy efficient design paradigm for a memory cell based on novel nanoelectromechanical switches
En este capt̕ulo, explicamos la cľula NEMsCAM, una nueva cľula de memoria de direcciones de contenido (CAM), que est ̀diseąda con base en tecnologa̕s CMOS y conmutadores nanoelectromecǹicos (NEM). La parte de memoria de NEMsCAM est ̀diseąda con dos conmutadores NEM no volt̀iles complementarios...
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| अन्य लेखक: | , , , , , , |
|---|---|
| स्वरूप: | पुस्तक |
| भाषा: | अंग्रेज़ी |
| विषय: | |
| ऑनलाइन पहुंच: | An energy efficient design paradigm for a memory cell based on novel nanoelectromechanical switches |
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MARC
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| 245 | 1 | 0 | |a An energy efficient design paradigm for a memory cell based on novel nanoelectromechanical switches |
| 246 | |a Un paradigma de diseǫ energťicamente eficiente para una cľula de memoria basada en nuevos conmutadores nanoelectromecǹicos | ||
| 264 | |a Bogot ̀(Colombia) : |b Revista VirtualPRO, |c 2017 | ||
| 520 | 3 | |a En este capt̕ulo, explicamos la cľula NEMsCAM, una nueva cľula de memoria de direcciones de contenido (CAM), que est ̀diseąda con base en tecnologa̕s CMOS y conmutadores nanoelectromecǹicos (NEM). La parte de memoria de NEMsCAM est ̀diseąda con dos conmutadores NEM no volt̀iles complementarios y ubicados en la parte superior del componente de comparacin̤ basado en CMOS. Como caso de uso, evaluamos la instruccin̤ de primer nivel y los bf͠eres lookaside de traduccin̤ de datos (TLB) con tecnologa̕ CMOS de 16 nm a 2 GHz. Los resultados de la simulacin̤ demuestran que el NEMsCAM TLB reduce el consumo de energa̕ por bs͠queda (en un 27%), el modo de espera (en un 53,9%), la operacin̤ de escritura (en un 41,9%) y el r̀ea (en un 40,5% Sl̤o TLB con una sobrecarga mn̕ima de rendimiento. | |
| 650 | \ | \ | |a Energa̕ |
| 650 | \ | \ | |a Tecnologa̕ energťica |
| 650 | \ | \ | |a Tecnologa̕ de la informacin̤ |
| 650 | \ | \ | |a Tecnologa̕ de las comunicaciones |
| 650 | \ | \ | |a Tecnologa̕ avanzada |
| 650 | \ | \ | |a Simulacin̤ por computador |
| 650 | \ | \ | |a Energy |
| 650 | \ | \ | |a Power technology |
| 650 | \ | \ | |a Information technology |
| 650 | \ | \ | |a Communication technology |
| 650 | \ | \ | |a Advanced technology |
| 650 | \ | \ | |a Computerized simulation |
| 650 | \ | \ | |a conmutador nanoelectromecǹico (NEM) |
| 650 | \ | \ | |a cľula de memoria de direcciones de contenido (CAM) |
| 650 | \ | \ | |a memoria de bs͠queda de traduccin̤ (TLB) |
| 650 | \ | \ | |a nanoelectromechanical (NEM) switch |
| 650 | \ | \ | |a content-addressable memory (CAM) cell |
| 650 | \ | \ | |a translation lookaside buffer (TLB) |
| 700 | \ | \ | |a Seyedi Azam |
| 700 | \ | \ | |a Karakostas Vasileios |
| 700 | \ | \ | |a Cosemans Stefan |
| 700 | \ | \ | |a Cristal Adrian |
| 700 | \ | \ | |a Nemirovsky Mario |
| 700 | \ | \ | |a Unsal Osman |
| 700 | \ | \ | |a Intech. |
| 856 | |z An energy efficient design paradigm for a memory cell based on novel nanoelectromechanical switches |u https://virtualpro.unach.elogim.com/biblioteca/un-paradigma-de-diseno-energeticamente-eficiente-para-una-celula-de-memoria-basada-en-nuevos-conmutadores-nanoelectromecanicos | ||