AlN film deposition as a semiconductor device
Pelc̕ulas de AlN fueron depositados por la tčnica de deposicin̤ por ls̀er pulsado (PLD), utilizando un ls̀er Nd: YAG con una longitud de onda de 1064 nm. Las pelc̕ulas fueron depositadas en una atms̤fera de nitrg̤eno como gas de trabajo; como ct̀odo se us ̤aluminio de alta pureza (99,99%). Las pelc...
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| Format: | Book |
| Language: | English |
| Subjects: | |
| Online Access: | AlN film deposition as a semiconductor device |
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MARC
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| 245 | 1 | 0 | |a AlN film deposition as a semiconductor device |
| 246 | |a Deposicin̤ de pelc̕ulas de AlN como dispositivos semiconductores y desempeǫ del recubrimiento u-AlTiN durante el fresado del Ti-6Al-4V | ||
| 264 | |a Bogot ̀(Colombia) : |b Revista VirtualPRO, |c 2018 | ||
| 520 | 3 | |a Pelc̕ulas de AlN fueron depositados por la tčnica de deposicin̤ por ls̀er pulsado (PLD), utilizando un ls̀er Nd: YAG con una longitud de onda de 1064 nm. Las pelc̕ulas fueron depositadas en una atms̤fera de nitrg̤eno como gas de trabajo; como ct̀odo se us ̤aluminio de alta pureza (99,99%). Las pelc̕ulas fueron depositadas con una fluencia del ls̀er de 2,28 J/cm2 durante 10 minutos sobre sustratos de silicio (100). La presin̤ de trabajo fue de 9 x 10-3 mbar y la temperatura del sustrato se vari ̤desde 200 ʻC a 630 ʻC. El espesor medido por perfilometra̕ fue de 150 nm para todas las pelc̕ulas. Adems̀ se fabricaron los dispositivos de ondas acs͠ticas de superficie (SAW) con una configuracin̤ Mo/AlN/Si, empleando AlN-bufer y un canal de Mo. La morfologa̕ y la composicin̤ de las pelc̕ulas se estudiaron mediante microscopa̕ electrn̤ica de barrido (MEB) y energa̕ dispersiva de rayos X de anl̀isis (EDX), respectivamente. Los espectros de reflectancia p̤tica y color de coordenadas de las pelc̕ulas se obtuvieron por la tčnica p̤tica reflectometra̕ espectral en el rango de 400-900 cm-1 por medio de un espectrofotm̤etro Ocean Optics 2000. En este trabajo se encontr ̤una clara dependencia de las propiedades morfolg̤icas, reflectancia, pureza dominante, longitud de onda del color, la respuesta de frecuencia y velocidad de la onda acs͠tica en třminos de la temperatura aplicada al sustrato. Se observ ̤una reduccin̤ en la reflectancia de aproximadamente 30% y aumento de velocidad de la onda acs͠tica de aproximadamente 1,3% cuando la temperatura se increment ̤desde 200 ʻC a 630 ʻC. | |
| 650 | \ | \ | |a Ingeniera̕ mecǹica |
| 650 | \ | \ | |a Ls̀ers en ingenierƯ̕a |
| 650 | \ | \ | |a Mechanical engineering |
| 650 | \ | \ | |a Lasers in engineering |
| 650 | \ | \ | |a Nitruro de aluminio |
| 650 | \ | \ | |a Deposicin̤ de ls̀er pulsado |
| 650 | \ | \ | |a Reflectancia p̤tica |
| 650 | \ | \ | |a Pureza del color |
| 650 | \ | \ | |a Respuesta de frecuencia |
| 650 | \ | \ | |a Velocidad de la onda acs͠tica |
| 650 | \ | \ | |a Pulsed laser deposition |
| 650 | \ | \ | |a Aluminium nitride |
| 650 | \ | \ | |a Acoustic wave speed |
| 700 | \ | \ | |a Caicedo Julio Cesar |
| 700 | \ | \ | |a Přez Taborda Jaime Andrš |
| 700 | \ | \ | |a Chaparro Willian Aperador |
| 700 | \ | \ | |a Universidad Nacional de Colombia. Facultad de Ingeniera̕. |
| 856 | |z AlN film deposition as a semiconductor device |u https://virtualpro.unach.elogim.com/biblioteca/deposicion-de-peliculas-de-aln-como-dispositivos-semiconductores-y-desempeno-del-recubrimiento-u-altin-durante-el-fresado-del-ti-6al-4v | ||