AlN film deposition as a semiconductor device
Pelc̕ulas de AlN fueron depositados por la tčnica de deposicin̤ por ls̀er pulsado (PLD), utilizando un ls̀er Nd: YAG con una longitud de onda de 1064 nm. Las pelc̕ulas fueron depositadas en una atms̤fera de nitrg̤eno como gas de trabajo; como ct̀odo se us ̤aluminio de alta pureza (99,99%). Las pelc...
שמור ב:
| מחברים אחרים: | , , , |
|---|---|
| פורמט: | ספר |
| שפה: | אנגלית |
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | AlN film deposition as a semiconductor device |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|