AlN film deposition as a semiconductor device
Pelc̕ulas de AlN fueron depositados por la tčnica de deposicin̤ por ls̀er pulsado (PLD), utilizando un ls̀er Nd: YAG con una longitud de onda de 1064 nm. Las pelc̕ulas fueron depositadas en una atms̤fera de nitrg̤eno como gas de trabajo; como ct̀odo se us ̤aluminio de alta pureza (99,99%). Las pelc...
Αποθηκεύτηκε σε:
| Άλλοι συγγραφείς: | , , , |
|---|---|
| Μορφή: | Βιβλίο |
| Γλώσσα: | Αγγλικά |
| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | AlN film deposition as a semiconductor device |
| Ετικέτες: |
Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|