AlN film deposition as a semiconductor device
Pelc̕ulas de AlN fueron depositados por la tčnica de deposicin̤ por ls̀er pulsado (PLD), utilizando un ls̀er Nd: YAG con una longitud de onda de 1064 nm. Las pelc̕ulas fueron depositadas en una atms̤fera de nitrg̤eno como gas de trabajo; como ct̀odo se us ̤aluminio de alta pureza (99,99%). Las pelc...
সংরক্ষণ করুন:
| অন্যান্য লেখক: | , , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | গ্রন্থ |
| ভাষা: | ইংরেজি |
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | AlN film deposition as a semiconductor device |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
প্রথমজন হিসাবে মন্তব্য করুন!