AlN film deposition as a semiconductor device
Pelc̕ulas de AlN fueron depositados por la tčnica de deposicin̤ por ls̀er pulsado (PLD), utilizando un ls̀er Nd: YAG con una longitud de onda de 1064 nm. Las pelc̕ulas fueron depositadas en una atms̤fera de nitrg̤eno como gas de trabajo; como ct̀odo se us ̤aluminio de alta pureza (99,99%). Las pelc...
Wedi'i Gadw mewn:
| Awduron Eraill: | , , , |
|---|---|
| Fformat: | Llyfr |
| Iaith: | Saesneg |
| Pynciau: | |
| Mynediad Ar-lein: | AlN film deposition as a semiconductor device |
| Tagiau: |
Ychwanegu Tag
Dim Tagiau, Byddwch y cyntaf i dagio'r cofnod hwn!
|
Byddwch y cyntaf i adael sylw!