AlN film deposition as a semiconductor device
Pelc̕ulas de AlN fueron depositados por la tčnica de deposicin̤ por ls̀er pulsado (PLD), utilizando un ls̀er Nd: YAG con una longitud de onda de 1064 nm. Las pelc̕ulas fueron depositadas en una atms̤fera de nitrg̤eno como gas de trabajo; como ct̀odo se us ̤aluminio de alta pureza (99,99%). Las pelc...
Gorde:
| Beste egile batzuk: | , , , |
|---|---|
| Formatua: | Liburua |
| Hizkuntza: | ingelesa |
| Gaiak: | |
| Sarrera elektronikoa: | AlN film deposition as a semiconductor device |
| Etiketak: |
Etiketa erantsi
Etiketarik gabe, Izan zaitez lehena erregistro honi etiketa jartzen!
|
Izan zaitez lehena ohar bat uzten!