AlN film deposition as a semiconductor device
Pelc̕ulas de AlN fueron depositados por la tčnica de deposicin̤ por ls̀er pulsado (PLD), utilizando un ls̀er Nd: YAG con una longitud de onda de 1064 nm. Las pelc̕ulas fueron depositadas en una atms̤fera de nitrg̤eno como gas de trabajo; como ct̀odo se us ̤aluminio de alta pureza (99,99%). Las pelc...
Zapisane w:
| Kolejni autorzy: | , , , |
|---|---|
| Format: | Książka |
| Język: | angielski |
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | AlN film deposition as a semiconductor device |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|
Napisz pierwszy komentarz!