AlN film deposition as a semiconductor device
Pelc̕ulas de AlN fueron depositados por la tčnica de deposicin̤ por ls̀er pulsado (PLD), utilizando un ls̀er Nd: YAG con una longitud de onda de 1064 nm. Las pelc̕ulas fueron depositadas en una atms̤fera de nitrg̤eno como gas de trabajo; como ct̀odo se us ̤aluminio de alta pureza (99,99%). Las pelc...
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| Övriga upphovsmän: | , , , |
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| Materialtyp: | Bok |
| Språk: | engelska |
| Ämnen: | |
| Länkar: | AlN film deposition as a semiconductor device |
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