AlN film deposition as a semiconductor device
Pelc̕ulas de AlN fueron depositados por la tčnica de deposicin̤ por ls̀er pulsado (PLD), utilizando un ls̀er Nd: YAG con una longitud de onda de 1064 nm. Las pelc̕ulas fueron depositadas en una atms̤fera de nitrg̤eno como gas de trabajo; como ct̀odo se us ̤aluminio de alta pureza (99,99%). Las pelc...
Đã lưu trong:
| Tác giả khác: | , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Sách |
| Ngôn ngữ: | Tiếng Anh |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | AlN film deposition as a semiconductor device |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Là người đầu tiên ghi lời nhận xét!