AlN film deposition as a semiconductor device
Pelc̕ulas de AlN fueron depositados por la tčnica de deposicin̤ por ls̀er pulsado (PLD), utilizando un ls̀er Nd: YAG con una longitud de onda de 1064 nm. Las pelc̕ulas fueron depositadas en una atms̤fera de nitrg̤eno como gas de trabajo; como ct̀odo se us ̤aluminio de alta pureza (99,99%). Las pelc...
محفوظ في:
| مؤلفون آخرون: | , , , |
|---|---|
| التنسيق: | كتاب |
| اللغة: | الإنجليزية |
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | AlN film deposition as a semiconductor device |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|