AlN film deposition as a semiconductor device
Pelc̕ulas de AlN fueron depositados por la tčnica de deposicin̤ por ls̀er pulsado (PLD), utilizando un ls̀er Nd: YAG con una longitud de onda de 1064 nm. Las pelc̕ulas fueron depositadas en una atms̤fera de nitrg̤eno como gas de trabajo; como ct̀odo se us ̤aluminio de alta pureza (99,99%). Las pelc...
Tallennettuna:
| Muut tekijät: | , , , |
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| Aineistotyyppi: | Kirja |
| Kieli: | englanti |
| Aiheet: | |
| Linkit: | AlN film deposition as a semiconductor device |
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