AlN film deposition as a semiconductor device
Pelc̕ulas de AlN fueron depositados por la tčnica de deposicin̤ por ls̀er pulsado (PLD), utilizando un ls̀er Nd: YAG con una longitud de onda de 1064 nm. Las pelc̕ulas fueron depositadas en una atms̤fera de nitrg̤eno como gas de trabajo; como ct̀odo se us ̤aluminio de alta pureza (99,99%). Las pelc...
में बचाया:
| अन्य लेखक: | , , , |
|---|---|
| स्वरूप: | पुस्तक |
| भाषा: | अंग्रेज़ी |
| विषय: | |
| ऑनलाइन पहुंच: | AlN film deposition as a semiconductor device |
| टैग: |
टैग जोड़ें
कोई टैग नहीं, इस रिकॉर्ड को टैग करने वाले पहले व्यक्ति बनें!
|