AlN film deposition as a semiconductor device

Pelc̕ulas de AlN fueron depositados por la tčnica de deposicin̤ por ls̀er pulsado (PLD), utilizando un ls̀er Nd: YAG con una longitud de onda de 1064 nm. Las pelc̕ulas fueron depositadas en una atms̤fera de nitrg̤eno como gas de trabajo; como ct̀odo se us ̤aluminio de alta pureza (99,99%). Las pelc...

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書誌詳細

その他の著者:	Caicedo Julio Cesar, Přez Taborda Jaime Andrš, Chaparro Willian Aperador, Universidad Nacional de Colombia. Facultad de Ingeniera̕
フォーマット:	図書
言語:	英語
主題:	Ingeniera̕ mecǹica Ls̀ers en ingenierƯ̕a Mechanical engineering Lasers in engineering Nitruro de aluminio Deposicin̤ de ls̀er pulsado Reflectancia p̤tica Pureza del color Respuesta de frecuencia Velocidad de la onda acs͠tica Pulsed laser deposition Aluminium nitride Acoustic wave speed
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