AlN film deposition as a semiconductor device
Pelc̕ulas de AlN fueron depositados por la tčnica de deposicin̤ por ls̀er pulsado (PLD), utilizando un ls̀er Nd: YAG con una longitud de onda de 1064 nm. Las pelc̕ulas fueron depositadas en una atms̤fera de nitrg̤eno como gas de trabajo; como ct̀odo se us ̤aluminio de alta pureza (99,99%). Las pelc...
-д хадгалсан:
| Бусад зохиолчид: | , , , |
|---|---|
| Формат: | Ном |
| Хэл сонгох: | англи |
| Нөхцлүүд: | |
| Онлайн хандалт: | AlN film deposition as a semiconductor device |
| Шошгууд: |
Шошго нэмэх
Шошго байхгүй, Энэхүү баримтыг шошголох эхний хүн болох!
|