AlN film deposition as a semiconductor device
Pelc̕ulas de AlN fueron depositados por la tčnica de deposicin̤ por ls̀er pulsado (PLD), utilizando un ls̀er Nd: YAG con una longitud de onda de 1064 nm. Las pelc̕ulas fueron depositadas en una atms̤fera de nitrg̤eno como gas de trabajo; como ct̀odo se us ̤aluminio de alta pureza (99,99%). Las pelc...
Збережено в:
| Інші автори: | , , , |
|---|---|
| Формат: | Книга |
| Мова: | Англійська |
| Предмети: | |
| Онлайн доступ: | AlN film deposition as a semiconductor device |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|