Conduccin̤ hopping en pelc̕ulas nanocristalinas del compuesto CZTSe usado como capa absorbente en celdas solares

Se presentan propiedades elčtricas y de transporte en pelc̕ulas nanocristalinas del compuesto cuaternario Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) por mťodo de co-evaporacin̤ fs̕ica. Las muestras fueron crecidas sobre sustratos de vidrio sodalime y variando en rango los parm̀etros de sn̕tesis: masa de Cu y temperatura...

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Other Authors: Sena N., Mateus H. M., Dussan A., Facultad de Ciencias, Pontificia Universidad Javeriana
Format: Book
Language:Spanish
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Online Access:Conduccin̤ hopping en pelc̕ulas nanocristalinas del compuesto CZTSe usado como capa absorbente en celdas solares
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245 1 0 |a Conduccin̤ hopping en pelc̕ulas nanocristalinas del compuesto CZTSe usado como capa absorbente en celdas solares  
246 |a Hopping conduction in nanocrystalline composite films of CZTSe used as solar cell absorber layer 
264 |a Bogot ̀(Colombia) :  |b Revista VirtualPRO,  |c 2018 
520 3 |a Se presentan propiedades elčtricas y de transporte en pelc̕ulas nanocristalinas del compuesto cuaternario Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) por mťodo de co-evaporacin̤ fs̕ica. Las muestras fueron crecidas sobre sustratos de vidrio sodalime y variando en rango los parm̀etros de sn̕tesis: masa de Cu y temperatura de sustrato. A partir de termopotencia a temperatura ambiente y de transmitancia espectral, se encontr ̤que el material est ̀caracterizado por conductividad tipo n y ancho de banda de energa̕ prohibida de 1.7 eV, respectivamente. Las medias de conductividad elčtrica (regin̤ de bajas temperaturas; 90<U+0096>200 K) mostraron que los procesos de conduccin̤ se realizan va̕ hopping de rango de variable entre estados extendidos. Los parm̀etros que caracterizaron šte mecanismo, energa̕ de activacin̤ (Whopp) y rango hopping (Rhopp), fueron obtenidos mediante teora̕ de percolacin̤ y modelo difusional. Se obtuvo, que para las muestras CZTSe la densidad de estados de defecto cerca del nivel de Fermi del material, N(EF), est ̀alrededor de 3,403x1018 cm-3 eV-1. Se present ̤correlacin̤ entre parm̀etros de deps̤ito y propiedades elčtricas. Se observ ̤influencia de parm̀etros sobre formacin̤ de fases adicionales en el compuesto. 
650 \ \ |a Semiconductores 
650 \ \ |a Nanotecnologa̕ 
650 \ \ |a Nanociencia 
650 \ \ |a Conductores elčtricos 
650 \ \ |a Semiconductors 
650 \ \ |a Nanotechnology 
650 \ \ |a Nanoscience 
650 \ \ |a Electric conductors 
650 \ \ |a Nanocristales 
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650 \ \ |a Propiedades de transporte 
650 \ \ |a Nanocrystals 
650 \ \ |a Hopping 
650 \ \ |a Transport properties  
700 \ \ |a Sena N. 
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