Influence of Si Atoms Insertion on the Formation of the Ti-Si-N Composite by DFT Simulation
Se simularon estructuras del SiN y TiN utilizando Teora̕ de Funcionales de Densidad (DFT), con el fin de estudiar la influencia de la insercin̤ de t̀omos de Si en la estructura del TiN en posiciones intersticiales y sustitucionales de una red cristalina cb͠ica centrada en las caras (FCC). Los resul...
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| フォーマット: | 図書 |
| 言語: | 英語 |
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| オンライン･アクセス: | Influence of Si Atoms Insertion on the Formation of the Ti-Si-N Composite by DFT Simulation |
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| 要約: | Se simularon estructuras del SiN y TiN utilizando Teora̕ de Funcionales de Densidad (DFT), con el fin de estudiar la influencia de la insercin̤ de t̀omos de Si en la estructura del TiN en posiciones intersticiales y sustitucionales de una red cristalina cb͠ica centrada en las caras (FCC). Los resultados mostraron que la estructura SiN-FCC es pseudo estable, mientras que la estructura tetragonal es estable, con comportamiento cerm̀ico. La estructura del TiN-FCC es estable con un comportamiento cerm̀ico similar al del SiN-tetragonal. La insercin̤ de 21 % de t̀omos de Si en posiciones intersticiales, el material mostr ̤alta deformacin̤ inducida, alta polarizacin̤ y formacin̤ de enlaces Si-N, indicadores de una transicin̤ amorfa que podra̕ producir un compuesto formado por granos o nanogramos de TiN embebidos en una matriz amorfa de Si-N. Mientras que al incluir 21 % de Si sustituyendo t̀omos de Titanio, se observ ̤una distribucin̤ ms̀ es- table, que puede producir diferentes fases del compuesto estequiomťrico Ti1-xSixNy. |
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| ISBN: | 2256-4314 (Versin̤ electrn̤ica); 1794-9165 (Versin̤ impresa) |