Influence of Si Atoms Insertion on the Formation of the Ti-Si-N Composite by DFT Simulation
Se simularon estructuras del SiN y TiN utilizando Teora̕ de Funcionales de Densidad (DFT), con el fin de estudiar la influencia de la insercin̤ de t̀omos de Si en la estructura del TiN en posiciones intersticiales y sustitucionales de una red cristalina cb͠ica centrada en las caras (FCC). Los resul...
Uloženo v:
| Další autoři: | , , , , , |
|---|---|
| Médium: | Kniha |
| Jazyk: | angličtina |
| Témata: | |
| On-line přístup: | Influence of Si Atoms Insertion on the Formation of the Ti-Si-N Composite by DFT Simulation |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
|
MARC
| LEADER | 00000nam a22000004a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | vpro24261 | ||
| 005 | 20201223000000.0 | ||
| 008 | 201121s2020 ck # g## #001 0#eng#d | ||
| 020 | |a 2256-4314 (Versin̤ electrn̤ica); 1794-9165 (Versin̤ impresa) | ||
| 022 | |||
| 040 | |a CO-BoINGC | ||
| 041 | 0 | |a eng | |
| 245 | 1 | 0 | |a Influence of Si Atoms Insertion on the Formation of the Ti-Si-N Composite by DFT Simulation |
| 246 | |a Influencia de la insercin̤ de t̀omos de Si en la formacin̤ del compuesto Ti-Si-N mediante simulacin̤ DFT | ||
| 264 | |a Bogot ̀(Colombia) : |b Revista VirtualPRO, |c 2020 | ||
| 520 | 3 | |a Se simularon estructuras del SiN y TiN utilizando Teora̕ de Funcionales de Densidad (DFT), con el fin de estudiar la influencia de la insercin̤ de t̀omos de Si en la estructura del TiN en posiciones intersticiales y sustitucionales de una red cristalina cb͠ica centrada en las caras (FCC). Los resultados mostraron que la estructura SiN-FCC es pseudo estable, mientras que la estructura tetragonal es estable, con comportamiento cerm̀ico. La estructura del TiN-FCC es estable con un comportamiento cerm̀ico similar al del SiN-tetragonal. La insercin̤ de 21 % de t̀omos de Si en posiciones intersticiales, el material mostr ̤alta deformacin̤ inducida, alta polarizacin̤ y formacin̤ de enlaces Si-N, indicadores de una transicin̤ amorfa que podra̕ producir un compuesto formado por granos o nanogramos de TiN embebidos en una matriz amorfa de Si-N. Mientras que al incluir 21 % de Si sustituyendo t̀omos de Titanio, se observ ̤una distribucin̤ ms̀ es- table, que puede producir diferentes fases del compuesto estequiomťrico Ti1-xSixNy. | |
| 650 | \ | \ | |a Silicio |
| 650 | \ | \ | |a Pelc̕ulas delgadas |
| 650 | \ | \ | |a Materiales de recubrimiento |
| 650 | \ | \ | |a Estructura molecular |
| 650 | \ | \ | |a Dinm̀ica molecular |
| 650 | \ | \ | |a Silicon |
| 650 | \ | \ | |a Pelc̕ulas delgadas |
| 650 | \ | \ | |a Coating materials |
| 650 | \ | \ | |a Molecular structure |
| 650 | \ | \ | |a Molecular dynamics |
| 650 | \ | \ | |a Teora̕ de funcionales de densidad; Estructura cristalina; Silicio; Pelc̕ulas delgadas; Recubrimiento.<U+0009> |
| 650 | \ | \ | |a Density functional theory; Crystalline structure; Nano-composite; Silicon; Thin films; Coatings |
| 700 | \ | \ | |a Gonzalez Juan Manuel |
| 700 | \ | \ | |a Ortega Portilla Carolina |
| 700 | \ | \ | |a Ruden Muǫz Alexander |
| 700 | \ | \ | |a Sequeda Osorio Federico |
| 700 | \ | \ | |a Steeven Restrepo Johans |
| 700 | \ | \ | |a Universidad EAFIT |
| 856 | |z Influence of Si Atoms Insertion on the Formation of the Ti-Si-N Composite by DFT Simulation |u https://virtualpro.unach.elogim.com/biblioteca/influencia-de-la-insercion-de-atomos-de-si-en-la-formacion-del-compuesto-ti-si-n-mediante-simulacion-dft | ||