Influence of Si Atoms Insertion on the Formation of the Ti-Si-N Composite by DFT Simulation
Se simularon estructuras del SiN y TiN utilizando Teora̕ de Funcionales de Densidad (DFT), con el fin de estudiar la influencia de la insercin̤ de t̀omos de Si en la estructura del TiN en posiciones intersticiales y sustitucionales de una red cristalina cb͠ica centrada en las caras (FCC). Los resul...
محفوظ في:
| مؤلفون آخرون: | Gonzalez Juan Manuel, Ortega Portilla Carolina, Ruden Muǫz Alexander, Sequeda Osorio Federico, Steeven Restrepo Johans, Universidad EAFIT |
|---|---|
| التنسيق: | كتاب |
| اللغة: | الإنجليزية |
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | Influence of Si Atoms Insertion on the Formation of the Ti-Si-N Composite by DFT Simulation |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
- Oxidacin̤ en vapor de agua del acero inoxidable AISI 316 recubierto con Al-Si por deposicin̤ qum̕ica de vapor en lecho fluidizado
- Crystallization of the long biological macro-molecules
- Software TFCalc 3.5 and TFCalc/WDM
- Modelo analt̕ico para el transporte electrn̤ico en pelc̕ulas delgadas semiconductoras
-
Teoría atómico-molecular
حسب: Avogadro Ampere, Dalton
منشور في: (1998)