Influence of Si Atoms Insertion on the Formation of the Ti-Si-N Composite by DFT Simulation
Se simularon estructuras del SiN y TiN utilizando Teora̕ de Funcionales de Densidad (DFT), con el fin de estudiar la influencia de la insercin̤ de t̀omos de Si en la estructura del TiN en posiciones intersticiales y sustitucionales de una red cristalina cb͠ica centrada en las caras (FCC). Los resul...
সংরক্ষণ করুন:
| অন্যান্য লেখক: | Gonzalez Juan Manuel, Ortega Portilla Carolina, Ruden Muǫz Alexander, Sequeda Osorio Federico, Steeven Restrepo Johans, Universidad EAFIT |
|---|---|
| বিন্যাস: | গ্রন্থ |
| ভাষা: | ইংরেজি |
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | Influence of Si Atoms Insertion on the Formation of the Ti-Si-N Composite by DFT Simulation |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
অনুরূপ উপাদানগুলি
অনুরূপ উপাদানগুলি
- Oxidacin̤ en vapor de agua del acero inoxidable AISI 316 recubierto con Al-Si por deposicin̤ qum̕ica de vapor en lecho fluidizado
- Crystallization of the long biological macro-molecules
- Software TFCalc 3.5 and TFCalc/WDM
- Modelo analt̕ico para el transporte electrn̤ico en pelc̕ulas delgadas semiconductoras
-
Teoría atómico-molecular
অনুযায়ী: Avogadro Ampere, Dalton
প্রকাশিত: (1998)