Modelo analt̕ico para el transporte electrn̤ico en pelc̕ulas delgadas semiconductoras
Los semiconductores policristalinos son materiales que a menudo presentan propiedades elčtricas inusuales. En el modelo se supone que los cristales estǹ formados por material semiconductor, el grano en s,̕ el cual est ̀rodeado por material altamente desordenado y resistivo, la frontera de grano. L...
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| বিন্যাস: | গ্রন্থ |
| ভাষা: | স্প্যানিশ |
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| অনলাইন ব্যবহার করুন: | Modelo analt̕ico para el transporte electrn̤ico en pelc̕ulas delgadas semiconductoras |
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| সংক্ষিপ্ত: | Los semiconductores policristalinos son materiales que a menudo presentan propiedades elčtricas inusuales. En el modelo se supone que los cristales estǹ formados por material semiconductor, el grano en s,̕ el cual est ̀rodeado por material altamente desordenado y resistivo, la frontera de grano. La frontera de grano perturba la periodicidad estructural del cristal dando origen a estados electrn̤icos localizados en el interior de la brecha de energa̕ prohibida. La existencia de estos estados favorece el atrapamiento de carga en las fronteras de grano y al doblamiento de las bandas de energa̕. Este doblamiento se caracteriza por un potencial de barrera y una zona de carga espacial, las cuales gobiernan el transporte electrn̤ico a travš de la frontera de grano. El modelo utiliza las teora̕s de difusin̤ y deriva de portadores, de emisin̤ termoin̤ica e incluye adems̀, la teora̕ de tunelamiento cuǹtico de portadores a travš de la barrera de potencial. Dado que la estructura de las pelc̕ulas delgadas de trix̤ido de Molibdeno (MoO3) obtenidas por atomizacin̤ pirolt̕ica es de tipo granular y de tamaǫ nanomťrico, el modelo analt̕ico explica el comportamiento de la caracters̕tica Corriente - Voltaje (I-V) de las pelc̕ulas. |
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| আইসবিএন: | 2256-4314 (Versin̤ electrn̤ica); 1794-9165 (Versin̤ impresa) |