Modelo analt̕ico para el transporte electrn̤ico en pelc̕ulas delgadas semiconductoras
Los semiconductores policristalinos son materiales que a menudo presentan propiedades elčtricas inusuales. En el modelo se supone que los cristales estǹ formados por material semiconductor, el grano en s,̕ el cual est ̀rodeado por material altamente desordenado y resistivo, la frontera de grano. L...
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|---|---|
| Format: | Book |
| Language: | Spanish |
| Subjects: | |
| Online Access: | Modelo analt̕ico para el transporte electrn̤ico en pelc̕ulas delgadas semiconductoras |
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|
MARC
| LEADER | 00000nam a22000004a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | vpro24309 | ||
| 005 | 20201223000000.0 | ||
| 008 | 201123s2020 ck # g## #001 0#spa#d | ||
| 020 | |a 2256-4314 (Versin̤ electrn̤ica); 1794-9165 (Versin̤ impresa) | ||
| 022 | |||
| 040 | |a CO-BoINGC | ||
| 041 | 0 | |a spa | |
| 245 | 1 | 0 | |a Modelo analt̕ico para el transporte electrn̤ico en pelc̕ulas delgadas semiconductoras |
| 246 | |a Analytical Model for Electronic Transport in Semiconductor Thin Films | ||
| 264 | |a Bogot ̀(Colombia) : |b Revista VirtualPRO, |c 2020 | ||
| 520 | 3 | |a Los semiconductores policristalinos son materiales que a menudo presentan propiedades elčtricas inusuales. En el modelo se supone que los cristales estǹ formados por material semiconductor, el grano en s,̕ el cual est ̀rodeado por material altamente desordenado y resistivo, la frontera de grano. La frontera de grano perturba la periodicidad estructural del cristal dando origen a estados electrn̤icos localizados en el interior de la brecha de energa̕ prohibida. La existencia de estos estados favorece el atrapamiento de carga en las fronteras de grano y al doblamiento de las bandas de energa̕. Este doblamiento se caracteriza por un potencial de barrera y una zona de carga espacial, las cuales gobiernan el transporte electrn̤ico a travš de la frontera de grano. El modelo utiliza las teora̕s de difusin̤ y deriva de portadores, de emisin̤ termoin̤ica e incluye adems̀, la teora̕ de tunelamiento cuǹtico de portadores a travš de la barrera de potencial. Dado que la estructura de las pelc̕ulas delgadas de trix̤ido de Molibdeno (MoO3) obtenidas por atomizacin̤ pirolt̕ica es de tipo granular y de tamaǫ nanomťrico, el modelo analt̕ico explica el comportamiento de la caracters̕tica Corriente - Voltaje (I-V) de las pelc̕ulas. | |
| 650 | \ | \ | |a Semiconductores |
| 650 | \ | \ | |a Pelc̕ulas delgadas |
| 650 | \ | \ | |a Energa̕ elčtrica |
| 650 | \ | \ | |a Semiconductors |
| 650 | \ | \ | |a Pelc̕ulas delgadas |
| 650 | \ | \ | |a Electric power |
| 650 | \ | \ | |a Pelc̕ulas delgadas; Semiconductores; Conduccin̤ elčtrica; Modelo. |
| 650 | \ | \ | |a Thin films; Semiconductors; Electrical conduction; Model. |
| 700 | \ | \ | |a Martn̕ez H M |
| 700 | \ | \ | |a Lp̤ez Carreǫ L D |
| 700 | \ | \ | |a Torres J |
| 700 | \ | \ | |a Torres Luengo M |
| 700 | \ | \ | |a Universidad EAFIT |
| 856 | |z Modelo analt̕ico para el transporte electrn̤ico en pelc̕ulas delgadas semiconductoras |u https://virtualpro.unach.elogim.com/biblioteca/modelo-analitico-para-el-transporte-electronico-en-peliculas-delgadas-semiconductoras | ||