Efecto resistivo del memristor en circuitos anl̀ogos
En 1971 el profesor Chua propuso el cuarto elemento bs̀ico de circuitos y lo denomin ̤el memristor, elemento que debe relacionar de manera directa la carga y el flujo magnťico. Se denomin ̤memristor, debido a que debe tener un comportamiento por una parte como una memoria, y por otra parte como un...
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| Format: | Book |
| Language: | Spanish |
| Subjects: | |
| Online Access: | Efecto resistivo del memristor en circuitos anl̀ogos |
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MARC
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| 020 | |a 2619-6581 (versin̤ electrn̤ica); 1794-4953 (versin̤ impresa) | ||
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| 245 | 1 | 0 | |a Efecto resistivo del memristor en circuitos anl̀ogos |
| 246 | |a Resistive Memristor behavior | ||
| 264 | |a Bogot ̀(Colombia) : |b Revista VirtualPRO, |c 2016 | ||
| 520 | 3 | |a En 1971 el profesor Chua propuso el cuarto elemento bs̀ico de circuitos y lo denomin ̤el memristor, elemento que debe relacionar de manera directa la carga y el flujo magnťico. Se denomin ̤memristor, debido a que debe tener un comportamiento por una parte como una memoria, y por otra parte como un resistor. En el presente artc̕ulo, se propone analizar la respuesta de un circuito RLC sin forzamiento y compararla con la respuesta del circuito cuando se incluye un elemento no lineal como el memristor, o circuito MRLC. Los anl̀isis se hacen en el dominio del tiempo y en el espacio de fase definido por la carga como para la corriente. 1. Introduccin̤Las variables elčtricas se relacionan de manera directa por medio de algn͠ elemento de circuitos bs̀icos, la tensin̤ y la corriente se relacionan por medio de la resistencia elčtrica, el flujo magnťico y la corriente elčtrica a travš del inductor, la carga y la tensin̤ por medio del capacitor. El profesor Len̤ O. Chua [1] propuso la existencia ter̤ica de un cuarto elemento bs̀ico de circuitos que permitiera relacionar de manera directa el flujo magnťico y la carga elčtrica, pues hasta el momento no existe. Por sus propiedades elčtricas el nuevo elemento debe tener un comportamiento, tanto como resistencia, pero tambiň como memoria, razn̤ por la cual lo denomin ̤memristor. En la Figura (1) se puede apreciar un esquema del memristor.En el 2008, Williams [2] de los laboratorios Hewlett Packard, estudiando distintas memorias, construy ̤un dispositivo nanomťrico utilizando dix̤ido de titanio (Ti02) y dix̤ido de titanio con dopaje, al cual le extrajeron 2-x iones de oxg̕eno, los ubic ̤entre un par de electrodos. Al realizar los anl̀isis correspondientes encontraron que el dispositivo tena̕ aparentemente un comportamiento como el que propona̕ Chua. A partir de entonces, se ha incrementado el estudio de aplicaciones del memristor [3-8]. Una de las caracters̕ticas clave para determinar que un elemento tenga o no un comportamiento memristivo es que a entrada de corriente cero su salida en tensin̤ sea tambiň cero, por otra parte, que su curva caracters̕tica se auto- corte, es decir que sea una curva de histřesis que se intersecte en el origen de coordenadas y que est ̌ubicada en el primero y tercer cuadrante. El modelo propuesto por William, cuya forma 𝑀(𝑞) = 𝛼 + 𝛽𝑞, donde 𝛼, 𝛽 son parm̀etros propios de la construccin̤ del momento.Sin embargo, es de aclarar que, con el modelo de William, no es evidente que su comportamiento sea resistivo, esto es cuando se comparan los circuitos RL y MRL, as ̕como los circuitos RC y MRLC, la respuesta no es apreciable en el espacio de fase. Sin embargo, en [9] Joglekar & Wolf, presenta un anl̀isis ter̤ico para estudiar dichos comportamientos. La propuesta aqu ̕presentada, consiste en utilizar otro modelo diferente al utilizado por Williams.En el presente trabajo se muestra la influencia del memristor sobre el circuito RLC sin forzamiento. Se escogieron valores tp̕icos de resistencia y de frecuencia para observar el comportamiento oscilatorio tanto en el rǧimen transitorio como estacionario y se observ ̤como el memristor deforma las ln̕eas de flujo en el espacio de fase correspondiente. | |
| 650 | \ | \ | |a Energa̕ elčtrica |
| 650 | \ | \ | |a Circuitos elčtricos |
| 650 | \ | \ | |a Electric power |
| 650 | \ | \ | |a Electric circuits |
| 650 | \ | \ | |a Anl̀isis no lineal |
| 650 | \ | \ | |a Circuito bs̀icos |
| 650 | \ | \ | |a Circuito MRLC |
| 650 | \ | \ | |a Memristor |
| 650 | \ | \ | |a Basic Circuits,Memristor,RLC circuit |
| 650 | \ | \ | |a Nonlinear Analysis. |
| 700 | \ | \ | |a Cardona Juan Pablo |
| 700 | \ | \ | |a Leal John Jairo |
| 700 | \ | \ | |a Rodrg̕uez Diego Juliǹ |
| 700 | \ | \ | |a Universidad Libre, Bogot̀ |
| 856 | |z Efecto resistivo del memristor en circuitos anl̀ogos |u https://virtualpro.unach.elogim.com/biblioteca/efecto-resistivo-del-memristor-en-circuitos-analogos | ||