Polymer process optimization for electrical and optical I/O interconnect pillar fabrication
El polinorborneno ha sido, durante mucho tiempo, considerado conveniente para la fabricacin̤ de materiales elčtricos y de interconexiones p̤ticas debido a su baja constante dielčtrica, los altos n̕dices de refraccin̤, la baja elasticidad modular y su alta estabilidad al calor. En las l͠timas inves...
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| Format: | Bog |
| Sprog: | engelsk |
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| Online adgang: | Polymer process optimization for electrical and optical I/O interconnect pillar fabrication |
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| Summary: | El polinorborneno ha sido, durante mucho tiempo, considerado conveniente para la fabricacin̤ de materiales elčtricos y de interconexiones p̤ticas debido a su baja constante dielčtrica, los altos n̕dices de refraccin̤, la baja elasticidad modular y su alta estabilidad al calor. En las l͠timas investigaciones, han sido fabricados polm̕eros pilares junto con conductores metl̀icos, generando una transferencia de seąles elčtricas y p̤ticas. Estas seąles requieren estructuras complejas construidas con determinadas caracters̕ticas. Las interconexiones p̤ticas, los flancos de los pilares deben ser suaves para reducir la dispersin̤ p̤tica que puede generar posteriores přdidas de seąl. Para aplicaciones elčtricas, las cavidades interiores deben ser desarrolladas a la superficie subyacente para garantizar contactos elčtricos fiables. La eleccin̤ de una fr̤mula adecuada de polm̕ero es fundamental para obtener estos resultados. Cada fr̤mula produce resultados diferentes en la fabricacin̤; es por ello que se deben hacer pruebas de manera preliminar para determinar el material p̤timo para cada aplicacin̤. En este documento, se probaron tres fr̤mulas diferentes de polinorborneno en diferentes exposiciones y dosis, posterior a la exposicin̤ de las muestras a diversas temperaturas. La fr̤mula ms̀ general que se desarroll ̤en lo que respecta a la estabilidad estructural, suavidad, profundidad de desarrollo interior y superficie plana fue probada en la fabricacin̤ de nuevas aplicaciones. A travš de estos procesos de fabricacin̤, se demostr ̤que la fr̤mula elegida se puede utilizar para crear polm̕eros de 130 micras de altura para usos p̤ticos y nc͠leos de polm̕eros sl̤idos pilares para la electricidad interconexin̤ entre un chip y un tablero, etc. |
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