Procesos hopping a travš del modelo difusional en materiales nanocristalinos usados para aplicaciones fotovoltaicas
Se presentan los modelos de hopping de rango variable (variable range hopping; VRH), vecinos cercanos (nearest neighbor hopping; NNH) y barreras de potencial presentes en las fronteras de grano; como mecanismos de transporte elčtrico predominantes en los materiales semiconductores para aplicaciones...
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| フォーマット: | 図書 |
| 言語: | スペイン語 |
| 主題: | |
| オンライン･アクセス: | Procesos hopping a travš del modelo difusional en materiales nanocristalinos usados para aplicaciones fotovoltaicas |
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| 要約: | Se presentan los modelos de hopping de rango variable (variable range hopping; VRH), vecinos cercanos (nearest neighbor hopping; NNH) y barreras de potencial presentes en las fronteras de grano; como mecanismos de transporte elčtrico predominantes en los materiales semiconductores para aplicaciones fotovoltaicas. Las medidas de conductividad a oscuras en funcin̤ de temperatura fueron realizadas para regin̤ de bajas temperaturas entre 120 y 400 K con Si y compuestos Cu3BiS2 y Cu2ZnSnSe4. Siguiendo la teora̕ de percolacin̤, se obtuvieron parm̀etros hopping y la densidad de estados cerca del nivel de Fermi, N(EF), para todas las muestras. A partir de los planteamientos dados por Mott para VRH, se present ̤el modelo difusional, que permiti ̤establecer la relacin̤ entre la conductividad y la densidad de estados de defecto o estados localizados en el gap del material. El anl̀isis comparativo entre modelos, evidenci,̤ que es posible obtener mejora hasta de un orden de magnitud en valores para cada uno de los parm̀etros hopping que caracterizan el material. |
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| ISBN: | 0122-7483 (versin̤ impresa) ; 2027-1352 (versin̤ online) |