Procesos hopping a travš del modelo difusional en materiales nanocristalinos usados para aplicaciones fotovoltaicas

Se presentan los modelos de hopping de rango variable (variable range hopping; VRH), vecinos cercanos (nearest neighbor hopping; NNH) y barreras de potencial presentes en las fronteras de grano; como mecanismos de transporte elčtrico predominantes en los materiales semiconductores para aplicaciones...

Deskribapen osoa

Gorde:
Xehetasun bibliografikoak
Beste egile batzuk: Dussan A., Mesa F., Facultad de Ciencias, Pontificia Universidad Javeriana
Formatua: Liburua
Hizkuntza:gaztelania
Gaiak:
Sarrera elektronikoa:Procesos hopping a travš del modelo difusional en materiales nanocristalinos usados para aplicaciones fotovoltaicas
Etiketak: Etiketa erantsi
Etiketarik gabe, Izan zaitez lehena erregistro honi etiketa jartzen!

MARC

LEADER 00000nam a22000004a 4500
001 vpro11619
005 20201223000000.0
008 170424s2017 ck # g## #001 0#spa#d
020 |a 0122-7483 (versin̤ impresa) ; 2027-1352 (versin̤ online) 
022
040 |a CO-BoINGC 
041 0 |a spa 
245 1 0 |a Procesos hopping a travš del modelo difusional en materiales nanocristalinos usados para aplicaciones fotovoltaicas 
246 |a Hopping processes in nanocrystalline materials used for photovoltaic applications using a diffusion model 
264 |a Bogot ̀(Colombia) :  |b Revista VirtualPRO,  |c 2017 
520 3 |a Se presentan los modelos de hopping de rango variable (variable range hopping; VRH), vecinos cercanos (nearest neighbor hopping; NNH) y barreras de potencial presentes en las fronteras de grano; como mecanismos de transporte elčtrico predominantes en los materiales semiconductores para aplicaciones fotovoltaicas. Las medidas de conductividad a oscuras en funcin̤ de temperatura fueron realizadas para regin̤ de bajas temperaturas entre 120 y 400 K con Si y compuestos Cu3BiS2 y Cu2ZnSnSe4. Siguiendo la teora̕ de percolacin̤, se obtuvieron parm̀etros hopping y la densidad de estados cerca del nivel de Fermi, N(EF), para todas las muestras. A partir de los planteamientos dados por Mott para VRH, se present ̤el modelo difusional, que permiti ̤establecer la relacin̤ entre la conductividad y la densidad de estados de defecto o estados localizados en el gap del material. El anl̀isis comparativo entre modelos, evidenci,̤ que es posible obtener mejora hasta de un orden de magnitud en valores para cada uno de los parm̀etros hopping que caracterizan el material. 
650 \ \ |a Procesos de potabilizacion del agua 
650 \ \ |a Proceso de agua potable 
650 \ \ |a Agua potable 
650 \ \ |a Water treatment processes 
650 \ \ |a Drinking water process 
650 \ \ |a Drinking water 
650 \ \ |a Transporte hopping 
650 \ \ |a Modelo difusional 
650 \ \ |a Hopping transport 
650 \ \ |a Diffusion model  
700 \ \ |a Dussan A. 
700 \ \ |a Mesa F.  
700 \ \ |a Facultad de Ciencias, Pontificia Universidad Javeriana 
856 |z Procesos hopping a travš del modelo difusional en materiales nanocristalinos usados para aplicaciones fotovoltaicas  |u https://virtualpro.unach.elogim.com/biblioteca/procesos-hopping-a-traves-del-modelo-difusional-en-materiales-nanocristalinos-usados-para-aplicaciones-fotovoltaicas